LP-UVM4029150A1采用垂直結構硅襯底大功率紫外LED芯片,基板線路設計靈活,高密度芯片排布,在小的發光區內可實現高密度的紫外光輸出,焊線具有高可靠性,產品的尺寸功率可根據客戶要求定制。
采用陶瓷基板,導熱性能好??
垂直結構紫外芯片發光,能量密度集中??
獨特的芯片焊線設計,高可靠性??
光電參數:(T solder pad =25 ℃)??? | ||||
光區面積 (mm) | 峰值波長 (nm) | 輻射強度 (W/cm2) | 正向電壓 (V) | 功率 (W) |
Typ.@4200mA | ||||
28.77*8.3 | 390~395 | ≥20 | 42 | 150 |